AI服务器电源国产化，这三家厂商各从哪里切入？

东微半导8月底公布算力服务器供电白皮书，将数字控制器、驱动器与自家的SGT MOSFET放进同一套参考电路。这为观察国产厂商的算力电源布局提供了一个切口：功率管之外，谁来控制它、驱动它，又怎样接近处理器端的供电需求？

把纳芯微和杰华特近期的产品放进来，差别就更清楚了。东微正在补齐功率器件的控制配套；纳芯微有针对GaN开关难题的专用驱动；杰华特则有面向处理器内核供电的多相控制器。本文选取三家2026年6月至9月的产品资料与披露，比较它们进入电源设计的位置，以及已经走到的阶段。

电源板上，控制器决定开关时序，驱动器推动功率管，功率管完成电能转换。相同的“服务器电源芯片”标签，可能对应完全不同的器件分工。

图1：通用电源功能示意。蓝色为电能路径，青色为控制信号，橙色为反馈；不对应具体客户电路。

一、东微把控制芯片与功率器件配到一起

慧能泰进入东微体系后，东微有了扩展数字电源产品的基础。2026年半年报已包含慧能泰5至6月的合并数据。两家公司产品怎样配合，近期原厂材料给出了具体例子。

在服务器交流输入电源的前级，PFC负责功率因数校正。慧能泰7月27日公布的HP1013A，是集成SiC驱动的数字双相交错PFC控制器。把控制和驱动放进一颗芯片，可以在适用电路中减少外置驱动芯片及连接，设计人员也要按它的驱动条件选择功率管。

到了中间母线转换环节，东微8月底白皮书列出的组合是OSU1000A数字控制器、OSU3010/OSU3000驱动器与SGT MOSFET。这套IBC参考电路，让控制信号、驱动和功率级之间的关系有了可核对的连接。

东微这组产品的看点，在于能带着控制配套参与功率级设计。 对电源厂而言，评估对象从一颗MOSFET延伸到一组器件的配合，驱动损耗、开关时序和布局可以放在同一轮调试中考虑。参考电路提供了起点，最终效率仍取决于具体拓扑、负载和散热条件。

图2：慧能泰2026年7月27日发布的原厂资料。效率及尺寸对应图中参考设计；OSU1000A与图中的HP1000A不能据此视为同一型号。

二、纳芯微从GaN驱动的具体难题切入

与东微将驱动集成进PFC控制器的做法相比，纳芯微6月29日发布的NSD2123，展示了专用驱动芯片的另一种价值。

NSD2123是一颗110V半桥GaN驱动器，针对增强型GaN器件设计，适用范围包括电源模块以及Buck、Boost、LLC、HSC等拓扑。它负责接收控制信号并驱动功率管，控制器和GaN功率管仍由外部电路配合。

原厂重点说明了自举供电问题：半桥电路在死区期间可能出现开关节点负压，传统自举方式会带来电容过充和高边栅极过压风险。NSD2123采用智能自举充电控制，在低边GaN导通期间充电、死区期间停止充电，并设置有源米勒钳位，降低误导通风险。

这与HP1013A的比较，要落在设计任务上。前者让工程师围绕既有控制方案选择GaN驱动，后者将特定PFC控制与SiC驱动一起提供；驱动对象、电压范围和电路位置不同，两颗芯片不能当作替换料。

纳芯微的服务器电源业务也有了批量应用披露。8月发布的半年报称，高压GaN驱动芯片、中低压GaN合封产品均已批量发货，部分产品在国内外服务器电源客户中量产出货。不过，这一产品类别层面的进展，没有逐项指向NSD2123。

图3：纳芯微2026年6月29日新品资料中的NSD2123原厂功能框图，红框标示智能自举开关；图中保留原厂英文标注。

三、杰华特的多相控制器更靠近处理器

沿供电链路继续向处理器看，设计重点变成低压、大电流和负载快速变化。多相降压让多路功率电路共同供电，控制器需要协调各相工作，并配合功率级应对负载变化。

杰华特8月产品资料中的JWH63342，便是这一位置的具体型号。它最多支持4相，带PWMVID接口，原厂列出的应用包括显卡内核、CPU内核和服务器处理器Vcore供电。它承担多相降压控制，功率转换仍需外部功率级。

东微体系也有靠近这一环节的产品，但职责不同。慧能泰8月31日介绍的HP1800是一颗PWM扩展器，可把一路PWM输入扩展成两相交错的四路互补输出，配合外部多相控制器工作。JWH63342是多相控制器，HP1800用于展开控制信号。 判断能解决哪一步问题，比把两颗产品都归为“多相电源芯片”更有用。

杰华特的客户进度同样要按产品拆开看。2026年半年报披露，多款90A DrMOS已在行业头部客户侧量产；包括支持多协议的16相数字控制器等新品，则已向多个计算行业头部客户送样。这里的16相产品与最多4相的JWH63342不是同一个型号，也不能将DrMOS的量产状态套给控制器新品。

四、对比要同时看产品位置和客户进度

把本次选取的产品与业务披露并排，三家的差异可以归到同一组问题上：交付什么器件、承担哪项任务、哪些进度已经得到披露。

厂商	本次比较的具体产品与分工	近期披露的业务进度
东微／慧能泰	HP1013A：PFC控制与SiC驱动；OSU1000A等：IBC控制配套；HP1800：PWM扩展	9月披露数字电源控制器导入头部客户，未逐型号披露出货规模
纳芯微	NSD2123：110V半桥GaN驱动，处理自举与开关驱动问题	半年报披露高压GaN驱动、中低压GaN合封产品批量发货，未将该状态逐项对应到NSD2123
杰华特	JWH63342：最多4相Vcore降压控制	半年报披露多款90A DrMOS量产、16相数字控制器等新品送样，均需与JWH63342分别判断

表：依据三家近期原厂资料整理，比较所选产品及披露范围，不代表各家公司完整产品线。

从这些产品看，东微在把功率器件与控制配套组合起来，纳芯微在改善高速功率管的驱动条件，杰华特则提供更靠近负载的多相控制与功率级产品。不同环节的国产选择正在增加，但这还不能拼成一份三家产品已经验证可混搭的服务器BOM。

真正影响项目采用的差别，会落在一块具体电源板上：集成控制与驱动是否适合既定拓扑，独立驱动能否处理所选GaN器件的开关条件，多相方案能否满足目标处理器的接口与瞬态要求。现有披露已经让这些问题有了对应产品；至于谁在同一项目里表现更好，还需要同工况测试与明确的型号交付记录。

免责声明：本文依据公开资料作行业分析，参考方案不构成具体型号推荐；参数与供货状态以原厂最新资料及实际验证为准。